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T-Gedächtniszelle

Vereinfachtes Schema der Vorgänge bei der primären Immunantwort

T-Gedächtniszellen oder Gedächtnis-T-Zellen sind eine Subpopulation (Untergruppe) der T-Lymphozyten (T-Zellen). Sie haben die Funktion eines immunologischen Gedächtnisses und verbessern den Schutz eines Individuums bei einer erneuten Infektion (Reinfektion) mit demselben Pathogen (Krankheitserreger). Als ehemalige T-Helferzellen (TH1 oder TH2) haben die Gedächtniszellen die spezifische, einmal erworbene Immunantwort gespeichert. Wenn der Organismus wieder mit demselben Antigen konfrontiert wird, lösen die T-Gedächtniszellen eine schnelle und effektive Immunreaktion aus. Teilweise wandeln sie sich dann erneut in T-Helferzellen um.[1][2][3]

Geschichte

Die Existenz von Gedächtniszellen konnte durch epidemiologische Beobachtungen bei einer Masernepidemie im 19. Jahrhundert auf den Färöer-Inseln angenommen werden. Damals fand man nach einmaliger Virus-Exposition und offensichtlich fehlender erneuter Exposition in der dazwischenliegenden Zeit noch nach 30 und mehr Jahren einen Schutz vor Neuerkrankung bei den ursprünglich an Masern erkrankten Bewohnern.[4]

Eigenschaften

Nach Stimulation des adaptiven Immunsystems durch ein Antigen erfolgt eine 10- bis 100fache Vermehrung der spezifischen T-Zellen. Von diesen können einige bei erneutem Kontakt mit dem gleichen Antigen eine schnellere und effizientere Sekundärantwort vermitteln. Diese Erinnerungsfunktion kann durch CD4-positive und durch CD8-positive-T-Gedächtniszellen übernommen werden.

Die aus naiven T-Zellen durch Differenzierung entstandenen Effektorzellen – ausdifferenzierte Lymphozyten mit spezifischen Aufgaben im Rahmen der Immunantwort – die meist nur eine kurze Lebenszeit haben und nach einer Immunantwort durch einen aktivierungs-induzierten Zelltod (engl. activation-induced cell death, AICD – programmierter Zelltod nach Aktivierung von T-Zellen und B-Zellen) absterben. An diesem Programm sind verschiedene Mechanismen beteiligt, unter anderem die Bereitstellung von Fas-vermittelten Signalen (CD95), intrazelluläre pro-apoptotischen Moleküle und der Verlust an Wachstumsfaktoren.

Von diesem programmierten Zelltod der während der spezifischen Immunantwort gebildeten T-Gedächtniszellen werden weniger als 5 % aller Effektorzellen ausgenommen. Die zellulären und molekularen Einflüsse, die darüber bestimmen, dass sich infolge einer Aktivierung naive T-Zellen zum einen in kurzlebige Effektorzellen und zum anderen in langlebige Gedächtniszellen differenzieren, sind nur in Ansätzen bekannt. Folgende Modelle zur Differenzierung von T-Gedächtniszellen werden diskutiert:

Typen

Wie bei naiven T-Zellen unterscheidet man bei den Gedächtnis-T-Zellen CD4- beziehungsweise CD8-positive Zellen. Darüber hinaus unterscheidet man innerhalb dieser zwei Typen mindestens zwei funktionell unterschiedliche Gruppen. Dies sind zum einen Effektor-Gedächtnis-T-Zellen (engl. effector memory T cells, TEM) und zum anderen zentrale Gedächtnis-T-Zellen (engl. central memory T cells, TCM). Beide Gruppen können sowohl bei CD4- als auch bei CD8-positiven Gedächtnis-T-Zellen vorkommen. Die Effektor-Gedächtnis-T-Zellen werden bei erneutem Antigenkontakt reaktiviert und stellen durch mehrere Teilungen viele funktionsfähige Effektorzellen bereit. Die zentralen Gedächtnis-T-Zellen ruhen dagegen in den Sekundären Lymphatischen Organen und haben zunächst keine Effektorfunktion am Infektionsherd. Allerdings können sie leicht aktiviert werden um sich zu Effektor-Zellen zu entwickeln, sobald das Antigen erneut auftritt. Die Arbeitsteilung zwischen Effektor-Gedächtnis-T-Zellen und zentralen Gedächtnis-T-Zellen besitzt ähnliche Züge wie die zwischen Plasma-Zellen und Gedächtnis-B-Zellen.[5]

Literatur

Einzelnachweise

  1. ↑ R. D. Michalek, J. C. Rathmell: The metabolic life and times of a T-cell. In: Immunol Rev. (2010), Band 236, S. 190–202. Extern PMID 20636818; Extern PMC 2983473 (freier Volltext).
  2. ↑ K. K. McKinstry, T. M. Strutt, S. L. Swain: Hallmarks of CD4 T cell immunity against influenza. In: J Intern Med. (2011), Band 269(5), S. 507–518. Extern doi:10.1111/j.1365-2796.2011.02367.x. Extern PMID 21362069; Extern PMC 3395075 (freier Volltext).
  3. ↑ R. Arens, S. P. Schoenberger: Plasticity in programming of effector and memory CD8 T-cell formation. In: Immunol Rev. (2010), Band 235(1), S. 190–205. Extern PMID 20536564; Extern PMC 2937176 (freier Volltext).
  4. ↑ Haven Emerson: Panum on Measles: Observations Made During the Epidemic of Measles on the Faroe Islands in the Year 1846. In: Am J Public Health Nations Health. 1940, Band 30, Nummer 10, S. 1245–1246. (Übersetzung eines Artikel von Peter Ludwig Panum von 1938 aus dem Dänischen) Extern PMC 1530953 (freier Volltext)
  5. ↑ Hochspringen nach: a b c Federica Sallusto, Jens Geginat, Antonio Lanzavecchia: Central Memory and Effector Memory T cell Substets: Function, Generation, and Maintenance. In: Annu Rev Immunol. (2004). Band 22, S. 745–763.
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Basierend auf einem Artikel in: Extern Wikipedia.de
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Datum der letzten Änderung: Jena, den: 02.04. 2026