Galliumphosphid
Sicherheitshinweise | |||||||
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Galliumphosphid ist eine binäre Halbleiterverbindung aus Gallium und Phosphor. Es wird seit den 1960er-Jahren als Material für rote, orange und grüne Leuchtdioden verwendet. Schwefel oder Tellur werden zur Dotierung benutzt, um Galliumphosphid in einen n-Typ-Halbleiter, Zink, um es in einen p-Typ-Halbleiter zu verwandeln. Reine GaP-LEDs emittieren grünes Licht mit einer Wellenlänge von 555 nm. Stickstoff-dotiertes GaP emittiert gelb-grün (565 nm), Zinkoxid-dotiertes GaP rot (700 nm).
Kristallstruktur | |
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_ Ga3+ _ P3− | |
Kristallsystem | kubisch |
Raumgruppe | F43m (Nr. 216) |
Gitterparameter | a = 545,05 pm |
Allgemeines | |
Name | Galliumphosphid |
Andere Namen | Gallium(III)-phosphid |
Verhältnisformel | GaP |
Kurzbeschreibung | hellorangefarbener Feststoff |
Externe Identifikatoren/Datenbanken | |
CAS-Nummer | 12063-98-8 |
EG-Nummer | 235-057-2 |
ECHA-InfoCard | 100.031.858 |
PubChem | 82901 |
Eigenschaften | |
Molare Masse | 100,7 g/mol3 |
Aggregatzustand |
fest |
Dichte | 4,1 g/cm3 |
Schmelzpunkt | 1348 °C |
Löslichkeit | nahezu unlöslich in Wasser |
Brechungsindex | 3,3798 |
Gewinnung und Darstellung
Galliumphosphid kann durch Reaktion von Gallium und Phosphor bei 700 °C oder mit Phosphortrichlorid gewonnen werden. GaP-Einkristalle werden in einem modifizierten Czochralski-Prozess (flüssigkeitsgekapselter Czochralski-Prozess) gewonnen, da sich GaP zunehmend ab 900 °C zersetzt, was durch einen Mantel aus geschmolzenem Bortrioxid und einen Überdruck von 10 bis 100 bar verhindert wird.
Eigenschaften
Galliumphosphid hat eine Zinkblende-Struktur, eine Bandlücke von 2,25 eV und eine Gitterkonstante von 0,545 nm. Seine Elektronenmobilität ist 110 cm²/V-s und seine Lochmobilität ist 75 cm²/V-s. Sein Brechungsindex ist wellenlängenabhängig. Er beträgt 3,37 im sichtbaren Bereich, bei 800 nm (IR) nur 3,2.
Siehe auch
Basierend auf einem Artikel in: Wikipedia.de Seite zurück© biancahoegel.de
Datum der letzten Änderung: Jena, den: 25.01. 2024